系统研究了三种空位缺陷（Pb2+、I−、MA+）对光电器件性能（短路电流 Jsc、开路电压 Voc）的影响机制发现，材料制造中Pb2+与I⁻空位成为非辐射复合中心，显著降低器件的 Jsc 和 Voc。该研究还获得缺陷浓度与Jsc 和 Voc的半定量唯象关系，提出了控制Pb空位和 I空位的策略。该研究工作得到江苏省自然科学基金和国家自然科学基金资助，发表在最近的国际期刊materials上（Materials 2025, 18, 2694）
(a) MAPbI3 中空位形成能与化学势的关系； (b)缺陷过度能级图.
